APT35GN120BG

Microchip Technology
Transistors - IGBTs - Single
TO-247-3
IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet

Lagernummer 124

1+： $6.88827
10+： $6.49837
100+： $6.13053
500+： $5.78352
1000+： $5.45615

Zwischensummenbetrag $6.88827

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-247-3
Вид крепления：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：TO-247 [B]
РХОС：Details
Монтажные варианты：Through Hole
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage：1.7 V
Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 30 V, + 30 V
Continuous Collector Current at 25 C：94 A
Распад мощности：379 W
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Максимальный постоянный ток сбора коллектора Ic：94 A
Gate-Emitter Leakage Current：600 nA
Пакетная партия производителя：1
Вес единицы：1.340411 oz
Пакет：Tube
Максимальный коллекторный ток (Ic)：94 A
Основной номер продукта：APT35GN120
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Условия испытания：800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：-
Конфигурация：Single
Распад мощности：379
Входной тип：Standard
Мощность - Макс：379 W
Диапазон рабочей температуры：- 55 C to + 150 C
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200 V
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.1V @ 15V, 35A
Прямоходящий ток коллектора：94 A
Тип ИGBT：NPT, Trench Field Stop
Зарядная мощность：220 nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：105 A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：24ns/300ns
Переключаемый энергопотребление：2.315mJ (off)
Высота：5.31 mm
Длина：21.46 mm
Ширина：16.26 mm

Со склада 124

1+： $6.88827
10+： $6.49837
100+： $6.13053
500+： $5.78352
1000+： $5.45615

Итого $6.88827

Телефон

APT35GN120BG