APT56F50L

Microchip Technology
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-264-3
MOSFET FG, FREDFET, 500V, TO-264View in Development Tools Selector
Date Sheet

Lagernummer 58

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-264-3
Вид крепления：Through Hole
Монтаж：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：TO-264 [L]
РХОС：Details
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：N-Channel
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：500 V
Id - Непрерывный ток разряда：56 A
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：100 mOhms
Усв：- 30 V, + 30 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Зарядная характеристика ворот：220 nC
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Распад мощности：780 W
Режим канала：Enhancement
Fall Time：33 ns
Минимальная прямая транконductанс：43 S
Пакетная партия производителя：1
Время задержки отключения типичного：100 ns
Время типичного задержки включения：38 ns
Вес единицы：0.352740 oz
Пакет：Tube
Основной номер продукта：APT56F50
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：56A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Microchip Technology
Максимальная мощность рассеяния：780W (Tc)
Состояние продукта：Active
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 2.5mA
Количество элементов：1
Время отключения：100 ns
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：POWER MOS 8™
Состояние изделия：Production (Last Updated: 2 months ago)
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Максимальная потеря мощности：780 W
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：780 W
Время задержки включения：38 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：100mOhm @ 28A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8800 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：220 nC @ 10 V
Время подъема：45 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Непрерывный ток стока (ID)：56 A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30 V
Входной ёмкости：8.8 nF
Характеристика ТРП：-
Rds на макс.：100 mΩ
Корпусировка на излучение：No

Со склада 58

Итого $0.00000

Телефон

APT56F50L