APT80GP60J

Microchip Technology
Transistors - IGBTs - Modules
ISOTOP-4
IGBT Modules FG, IGBT, 600V, 80A, SOT-227View in Development Tools Selector
Date Sheet

Lagernummer 39

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Корпус / Кейс：ISOTOP-4
Вид крепления：Chassis Mount
Монтаж：Chassis Mount, Screw
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：4
Поставщик упаковки устройства：ISOTOP®
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：Details
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：2.2 V
Continuous Collector Current at 25 C：151 A
Gate-Emitter Leakage Current：100 nA
Распад мощности：462 W
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：20 V
Монтажные варианты：SMD/SMT
Пакетная партия производителя：1
Вес единицы：2.264236 oz
Пакет：Tube
Максимальный коллекторный ток (Ic)：151 A
Основной номер продукта：APT80GP60
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Диэлектрический пробой напряжение：600 V
Номинальное напряжение (постоянное)：600 V
Описание пакета：ISOTOP-4
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Время включения (тон)：87 ns
Код упаковки производителя：ISOTOP
Время отключения (toff)：284 ns
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：APT80GP60J
Форма упаковки：RECTANGULAR
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：1.53
Код упаковки компонента：ISOTOP
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：POWER MOS 7®
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：Yes
Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
Максимальная потеря мощности：462 W
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Моментальный ток：151 A
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PUFM-X4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：Single
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：ISOLATED
Мощность - Макс：462 W
Применение транзистора：POWER CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Ввод：Standard
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600 V
Максимальный ток сбора：151 A
Ток - отсечка коллектора (макс)：1 mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：600 V
Входной ёмкости：9.84 nF
Максимальная потеря мощности (абс.)：462 W
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.7V @ 15V, 80A
Максимальный ток коллектора (IC)：151 A
Тип ИGBT：PT
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
Термистор с изменяемым сопротивлением：No
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
Входная ёмкость (Cies) @ Vce：9.84 nF @ 25 V
Продукт：IGBT Silicon Modules
Корпусировка на излучение：No
Без свинца：Lead Free

Со склада 39

Итого $0.00000

Телефон

APT80GP60J