2N6127

Microchip Technology
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
POWER BJT
Date Sheet

Lagernummer 2839

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Stud Mount
Корпус / Кейс：TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-61
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：Microchip Technology
Пакет：Bulk
Состояние продукта：Active
Максимальный коллекторный ток (Ic)：10 A
Пакетная партия производителя：1
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology
Форма упаковки：POST/STUD MOUNT
Материал корпуса пакета：METAL
Температура работы-Макс：200 °C
Траниционный частотный предел (fT)：40 MHz
Артикул Производителя：2N6127
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：API TECHNOLOGIES CORP
Ранг риска：5.49
Серия：-
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Код ECCN：EAR99
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：SOLDER LUG
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：O-MUPM-D3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Сокетная связка：ISOLATED
Мощность - Макс：117 W
Полярность/Тип канала：PNP
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：-
Ток - отсечка коллектора (макс)：-
Код JEDEC-95：TO-61
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
Частота - Переход：-
Максимальная потеря мощности (абс.)：67 W
Максимальный ток коллектора (IC)：10 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：30
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V
Максимальное напряжение на выходе：0.9 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 2839

Итого $0.00000

Телефон

2N6127