2N5329

Microchip Technology
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
POWER BJT
Date Sheet

Lagernummer 2713

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Stud Mount
Корпус / Кейс：TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-61
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：Microchip Technology
Пакет：Bulk
Состояние продукта：Active
Максимальный коллекторный ток (Ic)：20 A
Полярность транзистора：NPN
Описание пакета：TO-61/I, 3 PIN
Форма упаковки：POST/STUD MOUNT
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：175 °C
Рохс Код：No
Траниционный частотный предел (fT)：40 MHz
Артикул Производителя：2N5329
Форма упаковки：ROUND
Производитель：Solitron Devices Inc
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：SOLITRON DEVICES INC
Ранг риска：5.5
Код упаковки компонента：TO-61
Серия：-
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Подкатегория：Other Transistors
Технология：Si
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：SOLDER LUG
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：O-MUPM-D3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Сокетная связка：ISOLATED
Мощность - Макс：113 W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：-
Ток - отсечка коллектора (макс)：-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.8V @ 2mA, 10mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：90 V
Частота - Переход：-
Максимальная потеря мощности (абс.)：65 W
Максимальный ток коллектора (IC)：20 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：40
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：90 V
Максимальное напряжение на выходе：1.8 V
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：65 W

Со склада 2713

Итого $0.00000

Телефон

2N5329