2N1725

Microchip Technology
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
POWER BJT
Date Sheet

Lagernummer 2096

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Stud Mount
Корпус / Кейс：TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-61
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：Microchip Technology
Пакет：Bulk
Состояние продукта：Active
Максимальный коллекторный ток (Ic)：5A
Полярность транзистора：NPN
Пакетная партия производителя：1
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology
Форма упаковки：POST/STUD MOUNT
Материал корпуса пакета：METAL
Температура работы-Макс：200 °C
Траниционный частотный предел (fT)：10 MHz
Артикул Производителя：2N1725
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：API TECHNOLOGIES CORP
Ранг риска：5.5
Серия：-
Рабочая температура：175°C (TJ)
Код ECCN：EAR99
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：SOLDER LUG
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：O-MUPM-D3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Сокетная связка：COLLECTOR
Мощность - Макс：3W
Полярность/Тип канала：NPN
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：3 NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 2A, 15V
Код JEDEC-95：TO-61
Увеличение：-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80V
Частота - Переход：-
Максимальная потеря мощности (абс.)：117 W
Максимальный ток коллектора (IC)：10 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：50
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V
Максимальное напряжение на выходе：1 V
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)：-
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 2096

Итого $0.00000

Телефон

2N1725