2N5610

Lagernummer 20

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-213AA, TO-66-2
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-66 (TO-213AA)
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：Microchip Technology
Пакет：Bulk
Состояние продукта：Active
Максимальный коллекторный ток (Ic)：5 A
Полярность транзистора：NPN
Пакетная партия производителя：1
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology / Atmel
Описание пакета：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：METAL
Температура работы-Макс：150 °C
Траниционный частотный предел (fT)：60 MHz
Артикул Производителя：2N5610
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Contact Manufacturer
Производитель IHS：INCHANGE SEMICONDUCTOR CO LTD
Ранг риска：5.73
Серия：-
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：PIN/PEG
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：O-MBFM-P2
Конфигурация：SINGLE
Сокетная связка：COLLECTOR
Мощность - Макс：25 W
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：-
Ток - отсечка коллектора (макс)：-
Код JEDEC-95：TO-66
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 500μA, 2.5mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
Частота - Переход：-
Максимальная потеря мощности (абс.)：25 W
Максимальный ток коллектора (IC)：5 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：70
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V
Максимальное напряжение на выходе：1.5 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 20

Итого $0.00000

Телефон

2N5610