2N4998

Lagernummer 2146

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-210AA, TO-59-4, Stud
Вид крепления：Stud Mount
Монтаж：Stud
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-59
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальный коллекторный ток (Ic)：2 A
Состояние продукта：Active
Пакет：Bulk
Mfr：Microchip Technology
Максимальная мощность рассеяния：35 W
РХОС：Non-Compliant
Пакетная партия производителя：1
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology
Описание пакета：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3
Форма упаковки：POST/STUD MOUNT
Материал корпуса пакета：METAL
Артикул Производителя：2N4998
Форма упаковки：ROUND
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：NEW JERSEY SEMICONDUCTOR PRODUCTS INC
Ранг риска：5.77
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Подкатегория：Transistors
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：O-MUPM-X3
Направленность：NPN
Распад мощности：35 W
Мощность - Макс：35 W
Полярность/Тип канала：NPN
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80 V
Максимальный ток сбора：2 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：-
Ток - отсечка коллектора (макс)：-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：850mV @ 200μA, 1mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
Частота - Переход：-
Максимальный ток коллектора (IC)：2 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Корпусировка на излучение：No

Со склада 2146

Итого $0.00000

Телефон

2N4998