2N6190

Lagernummer 53

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Вид крепления：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-5AA
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：Microchip Technology
Максимальный коллекторный ток (Ic)：5 A
Состояние продукта：Active
Пакет：Bulk
Пакетная партия производителя：1
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology / Atmel
Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：METAL
Минимальная температура работы：-65 °C
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Траниционный частотный предел (fT)：30 MHz
Артикул Производителя：2N6190
Время включения макс. (ton)：200 ns
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Время отключения макс. (toff)：2200 ns
Ранг риска：5.35
Код упаковки компонента：TO-39
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
Распад мощности：10 W
Полярность транзистора：PNP
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：30
Collector-Emitter Saturation Voltage：1.2 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Монтажные варианты：Through Hole
Параметр частотно-уровневого продукта fT：30 MHz
Максимальный постоянный ток сбора：5 A
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：80 V
Серия：-
Рабочая температура：-
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Мощность - Макс：10 W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：-
Ток - отсечка коллектора (макс)：-
Код JEDEC-95：TO-39
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：10 W
Максимальный ток коллектора (IC)：5 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V
Максимальное напряжение на выходе：1.2 V
Сопротивление базы-эмиттора макс：300 pF
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 53

Итого $0.00000

Телефон

2N6190