Изображение служит лишь для справки
2N5678
-
Microchip Technology
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-211MB, TO-63-4, Stud
- POWER BJT
Date Sheet
Lagernummer 2911
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Stud Mount
- Корпус / Кейс:TO-211MB, TO-63-4, Stud
- Поверхностный монтаж:NO
- Поставщик упаковки устройства:TO-63
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Mfr:Microchip Technology
- Пакет:Bulk
- Состояние продукта:Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic):10 A
- Полярность транзистора:PNP
- Описание пакета:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
- Форма упаковки:POST/STUD MOUNT
- Материал корпуса пакета:METAL
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:2N5678
- Форма упаковки:ROUND
- Производитель:Microsemi Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Ранг риска:5.35
- Серия:-
- Рабочая температура:-
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Технология:Si
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:SOLDER LUG
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:O-MUPM-D3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Мощность - Макс:175 W
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:-
- Ток - отсечка коллектора (макс):-
- Код JEDEC-95:TO-63
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:-
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):100 V
- Частота - Переход:-
- Максимальный ток коллектора (IC):10 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):25
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:100 V
Со склада 2911
Итого $0.00000










