Изображение служит лишь для справки
JAN2N2906AUBC/TR
-
Microchip Technology
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- 3-SMD, No Lead
- SMALL-SIGNAL BJT
Date Sheet
Lagernummer 46
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:3-SMD, No Lead
- Поставщик упаковки устройства:UBC
- Mfr:Microchip Technology
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта:Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic):600 mA
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
- Распад мощности:500 mW
- Полярность транзистора:PNP
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:40
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1.6 V
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip / Microsemi
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:120 at 150 mA, 10 V
- РХОС:N
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:60 V
- Серия:Military, MIL-PRF-19500/291
- Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:500 mW
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:40 @ 150mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):50nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.6V @ 50mA, 500mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):60 V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
- Прямоходящий ток коллектора:600 mA
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 46
Итого $0.00000










