Изображение служит лишь для справки

ABC858A-HF

Lagernummer 10

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Поставщик упаковки устройства:SOT-23-3
  • Mfr:Comchip Technology
  • Пакет:Tape & Reel (TR)
  • Состояние продукта:Active
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):100 mA
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
  • Полярность транзистора:PNP
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:125
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:650 mV
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:3000
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Параметр частотно-уровневого продукта fT:100 MHz
  • Производитель:Comchip Technology
  • Бренд:Comchip Technology
  • Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:800
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:30 V
  • Серия:Automotive, AEC-Q101
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Пакетирование:MouseReel
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Конфигурация:Single
  • Мощность - Макс:250 mW
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:125 @ 2mA, 5V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):15nA (ICBO)
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:650mV @ 5mA, 100mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):30 V
  • Частота - Переход:100MHz
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):30 V
  • Прямоходящий ток коллектора:0.1 A
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 10

Итого $0.00000