2N5410

Lagernummer 2956

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Stud Mount
Корпус / Кейс：TO-111-4, Stud
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-111
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：Microchip Technology
Пакет：Bulk
Состояние продукта：Active
Максимальный коллекторный ток (Ic)：5 A
Пакетная партия производителя：1
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology
Описание пакета：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Форма упаковки：POST/STUD MOUNT
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：No
Траниционный частотный предел (fT)：40 MHz
Артикул Производителя：2N5410
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：SEMELAB LTD
Ранг риска：5.33
Код упаковки компонента：TO-111
Серия：-
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Подкатегория：Transistors
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：SOLDER LUG
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：3
Код JESD-30：O-MUPM-D3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Мощность - Макс：52 W
Полярность/Тип канала：PNP
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：-
Ток - отсечка коллектора (макс)：-
Код JEDEC-95：TO-111
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 200μA, 2mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
Частота - Переход：-
Максимальный ток коллектора (IC)：5 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：40
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 2956

Итого $0.00000

Телефон

2N5410