APT9M100S/TR

Microchip Technology
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
MOSFET MOS8 1000 V 9 A TO-268
Date Sheet

Lagernummer 405

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：D3PAK
Основной номер продукта：APT9M100
Максимальная мощность рассеяния：335W (Tc)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 1mA
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A (Tc)
Состояние продукта：Active
Mfr：Microchip Technology
Пакетная партия производителя：400
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1 kV
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：335 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：30 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Зарядная характеристика ворот：80 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.4 Ohms
Id - Непрерывный ток разряда：9 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Reel
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.4Ohm @ 5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2605 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：80 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：1000 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：Microchip Technology

Со склада 405

Итого $0.00000

Телефон

APT9M100S/TR