STW75N65DM6-4

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-247-4
N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7
Date Sheet

Lagernummer 659

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-4
Поставщик упаковки устройства：TO-247-4
Mfr：STMicroelectronics
Пакет：Tube
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：75A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：480W (Tc)
Квалификация：-
Прямоходящий ток вывода Id：75A
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：TO-247-4
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
Время типичного задержки включения：40 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4.75 V
Распад мощности：480 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 25 V, + 25 V
Вес единицы：0.214466 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：30
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Производитель：STMicroelectronics
Бренд：STMicroelectronics
Зарядная характеристика ворот：118 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：36 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：130 ns
Id - Непрерывный ток разряда：75 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Tube
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：4
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：480W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：36mOhm @ 37.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.75V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5700 pF @ 100 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：118 nC @ 10 V
Время подъема：18 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
Угол настройки (макс.)：±25V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 659

Итого $0.00000

Телефон

STW75N65DM6-4