STD12N60DM6

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 2260

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：D-PAK (TO-252)
Mfr：STMicroelectronics
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A (Tc)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.75V @ 250μA
Максимальная мощность рассеяния：90W (Tc)
Основной номер продукта：STD12
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：DPAK (TO-252)
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Прямоходящий ток вывода Id：10A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4.75 V
Распад мощности：90 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 25 V, + 25 V
Вес единицы：0.011640 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2500
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：STMicroelectronics
Бренд：STMicroelectronics
Зарядная характеристика ворот：17 nC
Торговое наименование：MDmesh
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：390 mOhms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：10 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：90W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：390mOhm @ 5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：508 pF @ 100 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±25V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 2260

Итого $0.00000

Телефон

STD12N60DM6