CEDM8001TR

Central Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SC-101, SOT-883
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ULTRA MINI-3
Date Sheet

Lagernummer 3475

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SC-101, SOT-883
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：SOT-883
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100mA (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.5V, 4V
Максимальная мощность рассеяния：100mW (Ta)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.1V @ 250µA
Описание пакета：HALOGEN FREE AND ULTRA MINI-3
Форма упаковки：CHIP CARRIER
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：CEDM8001TR
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Central Semiconductor Corp
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Ранг риска：5.66
Максимальный ток утечки (ID)：0.1 A
Рабочая температура：-65°C ~ 150°C (TJ)
Серия：--
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Состояние изделия：Active
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Подкатегория：Other Transistors
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-XBCC-N3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8 Ohm @ 10mA, 4V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：45pF @ 3V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.66nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Угол настройки (макс.)：10V
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Максимальный сливовой ток (ID)：0.1 A
Сопротивление открытого канала-макс：8 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：20 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.1 W
Характеристика ТРП：--
REACH SVHC：unknown

Со склада 3475

Итого $0.00000

Телефон

CEDM8001TR