Изображение служит лишь для справки
NTE112
-
NTE Electronics, Inc.
-
Diodes - Rectifiers - Single
- DO-204AH, DO-35, Axial
- Mixer Diode, Ultra High Frequency, Silicon, DO-35,
Date Sheet
Lagernummer 225
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:DO-204AH, DO-35, Axial
- Поверхностный монтаж:NO
- Поставщик упаковки устройства:DO-35
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Артикул Производителя:NTE112
- Производитель:NTE Electronics
- Пакет:Bag
- Mfr:NTE Electronics, Inc
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:O-PALF-W2
- Форма упаковки:LONG FORM
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:ROUND
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:NTE ELECTRONICS INC
- Максимальное напряжение включения:0.5 V
- Ранг риска:5.73
- Серия:-
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.60
- Подкатегория:Microwave Mixer Diodes
- Технология:SCHOTTKY
- Положение терминала:AXIAL
- Форма вывода:WIRE
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:O-PALF-W2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Скорость:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
- Тип диода:Schottky
- Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr:50 nA @ 1 V
- Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If:550 mV @ 10 mA
- Сокетная связка:ISOLATED
- Температура работы - переходная:125°C
- Выводная мощность-макс:25 A
- Максимальное обратное напряжение (Вр):5 V
- Ток - Средний прямоугольный:30mA
- Код JEDEC-95:DO-35
- Емкость @ Vr, Ф:1pF @ 0V, 1MHz
- Минимальная напряжение разрушения:5 V
- Диапазон частот:ULTRA HIGH FREQUENCY
- Максимальная емкость диода:1 pF
Со склада 225
Итого $0.00000










