Изображение служит лишь для справки

NTE112

Lagernummer 225

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:DO-204AH, DO-35, Axial
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Поставщик упаковки устройства:DO-35
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:2
  • Артикул Производителя:NTE112
  • Производитель:NTE Electronics
  • Пакет:Bag
  • Mfr:NTE Electronics, Inc
  • Состояние продукта:Active
  • Описание пакета:O-PALF-W2
  • Форма упаковки:LONG FORM
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:ROUND
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:NTE ELECTRONICS INC
  • Максимальное напряжение включения:0.5 V
  • Ранг риска:5.73
  • Серия:-
  • Код ECCN:EAR99
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.60
  • Подкатегория:Microwave Mixer Diodes
  • Технология:SCHOTTKY
  • Положение терминала:AXIAL
  • Форма вывода:WIRE
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Код JESD-30:O-PALF-W2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE
  • Скорость:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Тип диода:Schottky
  • Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr:50 nA @ 1 V
  • Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If:550 mV @ 10 mA
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Температура работы - переходная:125°C
  • Выводная мощность-макс:25 A
  • Максимальное обратное напряжение (Вр):5 V
  • Ток - Средний прямоугольный:30mA
  • Код JEDEC-95:DO-35
  • Емкость @ Vr, Ф:1pF @ 0V, 1MHz
  • Минимальная напряжение разрушения:5 V
  • Диапазон частот:ULTRA HIGH FREQUENCY
  • Максимальная емкость диода:1 pF

Со склада 225

Итого $0.00000