Изображение служит лишь для справки

M29F200BB70M3

Lagernummer 425

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:44
  • РХОС:Non-Compliant
  • Типы памяти:NOR
  • Описание пакета:SOP,
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Количество кодовых слов:128000
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Минимальная температура работы:-40 °C
  • Время доступа-максимум:70 ns
  • Температура работы-Макс:125 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:M29F200BB70M3
  • Количество слов:131072 words
  • Номинальное напряжение питания (Вн):5 V
  • Код пакета:SOP
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Numonyx Memory Solutions
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Производитель IHS:NUMONYX
  • Ранг риска:5.66
  • Код упаковки компонента:SOIC
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Тип:NOR TYPE
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
  • Максимальная рабочая температура:125 °C
  • Минимальная температура работы:-40 °C
  • Код ТН ВЭД:8542.32.00.51
  • Технология:CMOS
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Количество функций:1
  • Шаг выводов:1.27 mm
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:44
  • Код JESD-30:R-PDSO-G44
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Напряжение питания максимальное (Vпит):5.5 V
  • Градация температуры:AUTOMOTIVE
  • Напряжение питания минимальное (Vпит):4.5 V
  • Интерфейс:Parallel
  • Максимальная напряжённость питания:5.5 V
  • Минимальная подача напряжения:4.5 V
  • Размер памяти:256 kB
  • Режим работы:ASYNCHRONOUS
  • Время доступа:70 ns
  • Ширина данных в сети:8 b
  • Организация:128KX16
  • Максимальная высота посадки:3 mm
  • Ширина памяти:16
  • Плотность памяти:2097152 bit
  • Параллельный/Серийный:PARALLEL
  • Тип микросхемы памяти:FLASH
  • Программирование напряжения:5 V
  • Альтернативная ширина памяти:8
  • Блок запуска:BOTTOM
  • Ширина:12.6 mm
  • Длина:28.5 mm

Со склада 425

Итого $0.00000