MTP3055E

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Date Sheet

Lagernummer 180

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：Non-Compliant
Описание пакета：TO-220, 3 PIN
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：175 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：MTP3055E
Время включения макс. (ton)：165 ns
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：STMicroelectronics
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：STMICROELECTRONICS
Время отключения макс. (toff)：145 ns
Ранг риска：5.19
Код упаковки компонента：TO-220AB
Максимальный ток утечки (ID)：12 A
Код JESD-609：e0
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Подкатегория：FET General Purpose Power
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：40 W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)：12 A
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
Максимальный сливовой ток (ID)：14 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.15 Ω
Напряжение пробоя стока к истоку：60 V
Максимальный импульсный ток вывода：48 A
Минимальная напряжённость разрушения：60 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：50 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：70 W
Сопротивление стока к истоку：150 mΩ
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：150 pF
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：70 W

Со склада 180

Итого $0.00000

Телефон

MTP3055E