BC847BLT1

ON Semiconductor
Discrete Semiconductor Products
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NPN Bipolar Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL
Date Sheet

Lagernummer 3000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：SOT-23-3 (TO-236)
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Collector-Emitter Saturation Voltage：600 mV
Диэлектрический пробой напряжение：45 V
Минимальная частота работы в герцах：200
Количество элементов：1
Номинальное напряжение (постоянное)：45 V
Статус жизненного цикла производителя：OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)
РХОС：Compliant
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 mA
Основной номер продукта：BC847
Mfr：onsemi
Состояние продукта：Obsolete
Описание пакета：CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код упаковки производителя：CASE 318-08
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：No
Траниционный частотный предел (fT)：100 MHz
Артикул Производителя：BC847BLT1
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Rochester Electronics LLC
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Ранг риска：5.18
Код упаковки компонента：SOT-23
Пакетирование：Tape and Reel
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：-
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Максимальная потеря мощности：300 mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Моментальный ток：100 mA
Частота：100 MHz
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PDSO-G3
Квалификационный Статус：COMMERCIAL
Направленность：NPN
Конфигурация：SINGLE
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：300 mW
Мощность - Макс：300 mW
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：100 MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45 V
Максимальный ток сбора：100 mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 2mA, 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA (ICBO)
Код JEDEC-95：TO-236AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 100mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：45 V
Частота перехода：100 MHz
Частота - Переход：100MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6 V
Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：200
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：45 V
Без свинца：Contains Lead

Со склада 3000

Итого $0.00000

Телефон

BC847BLT1