Изображение служит лишь для справки
FDB6644
-
Fairchild Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:3
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Non-Compliant
- Время отключения:54 ns
- Описание пакета:D2PAK-3
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:175 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:FDB6644
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Fairchild Semiconductor Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Ранг риска:5.9
- Код упаковки компонента:D2PAK
- Максимальный ток утечки (ID):50 A
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Максимальная рабочая температура:175 °C
- Минимальная температура работы:-65 °C
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:83 W
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Время подъема:8 ns
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID):50 A
- Код JEDEC-95:TO-263AB
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):16 V
- Максимальный сливовой ток (ID):50 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0105 Ω
- Напряжение пробоя стока к истоку:30 V
- Максимальный импульсный ток вывода:150 A
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):240 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):83 W
- Сопротивление стока к истоку:8.5 mΩ
- REACH SVHC:compliant
Со склада 0
Итого $0.00000










