Изображение служит лишь для справки
FGPF4536
-
ON Semiconductor
-
Discrete Semiconductor Products
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 360V V(BR)CES, N-Channel
Date Sheet
Lagernummer 104392
- 1+: $1.06081
- 10+: $1.00077
- 100+: $0.94412
- 500+: $0.89068
- 1000+: $0.84026
Zwischensummenbetrag $1.06081
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:1 Week
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Время включения (тон):25.6 ns
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Время отключения (toff):292 ns
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:FGPF4536
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:ON Semiconductor
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ON SEMICONDUCTOR
- Ранг риска:5.2
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальная потеря мощности (абс.):28.4 W
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:360 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.):30 V
- Максимальное напряжение на выходе:1.8 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ:4 V
Со склада 104392
- 1+: $1.06081
- 10+: $1.00077
- 100+: $0.94412
- 500+: $0.89068
- 1000+: $0.84026
Итого $1.06081










