BD707

STMicroelectronics
Discrete Semiconductor Products
12A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN
Date Sheet

Lagernummer 10000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Минимальная частота работы в герцах：40
РХОС：Non-Compliant
Описание пакета：TO-220, 3 PIN
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Траниционный частотный предел (fT)：3 MHz
Артикул Производителя：BD707
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：STMicroelectronics
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：STMICROELECTRONICS
Ранг риска：5.74
Код упаковки компонента：SFM
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Подкатегория：Other Transistors
Максимальная потеря мощности：75 W
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：NPN
Конфигурация：SINGLE
Конфигурация элемента：Single
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：3 MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60 V
Максимальный ток сбора：12 A
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：75 W
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5 V
Максимальный ток коллектора (IC)：12 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：5
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：60 V
Максимальное напряжение на выходе：1 V
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：75 W
Корпусировка на излучение：No

Со склада 10000

Итого $0.00000

Телефон

BD707