3SFR0

Semtech
Diodes - RF
Rectifier Diode Switching 1KV 3.25A 150ns 2-Pin Case G-4
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Материал диодного элемента：SILICON
Количество терминалов：2
ЭККН (США)：EAR99
HTS：8541.10.00.80
Максимальное обратное напряжение постоянного тока (В)：1000
Максимальная обратная периодическая напряжение (В)：1000
Максимальный непрерывный прямой ток (А)：3.25
Максимальный неповторимый импульсный ток (А)：80
Максимальное напряжение прямого тока (В)：1.5@3A
Пиковая обратная токовая сила (мкА)：1
Время обратной восстановительной пиковой величины (нс)：150
Минимальная температура работы (°C)：-65
Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
Стандартное наименование упаковки：Case G-4
Поставщикская упаковка：Case G-4
Войсковой：No
Монтаж：Through Hole
Длина корпуса：4.2(Max)
Плата изменена：2
Описание пакета：HERMETIC SEALED, G4, 2 PIN
Форма упаковки：LONG FORM
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Минимальная температура работы：-65 °C
Температура работы-Макс：175 °C
Артикул Производителя：3SFR0
Форма упаковки：ROUND
Производитель：Semtech Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：SEMTECH CORP
Максимальное напряжение включения：1.5 V
Ранг риска：5.76
Состояние изделия：Active
Код ECCN：EAR99
Тип：Switching Diode
Применение：FAST SOFT RECOVERY
Код ТН ВЭД：8541.10.00.80
Подкатегория：Rectifier Diodes
Положение терминала：AXIAL
Форма вывода：WIRE
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：2
Код JESD-30：O-XALF-W2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：Single
Тип диода：RECTIFIER DIODE
Сокетная связка：ISOLATED
Выводная мощность-макс：1.2 A
Количество фаз：1
Максимальное обратное напряжение：1000 V
Максимальная прямая сила тока в пакете：80 A
Максимальный обратный ток：1 µA
Время обратной восстановительной максимальная：0.15 µs
Диаметр：4.6(Max)
Состояние RoHS：RoHS non-compliant

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

3SFR0