70V658S10BF

Integrated Device Technology (IDT)
Memory
SRAM Chip Async Dual 3.3V 2.25M-Bit 64K x 36 10ns 208-Pin CABGA
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：7 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Количество контактов：208
Типы памяти：RAM, SDR, SRAM
Current - Supply (Nom)：500mA
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
Количество выводов：208
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn63Pb37)
Максимальная рабочая температура：70°C
Минимальная температура работы：0°C
Напряжение - Питание：3.3V
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BALL
Температура пайки (пиковая) (°C)：225
Количество функций：1
Шаг выводов：0.8mm
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：20
Градация температуры：COMMERCIAL
Интерфейс：Parallel
Размер памяти：256kB
Количество портов：2
Время доступа：10 ns
Организация：64KX36
Характеристики выдачи：3-STATE
Ширина адресной шины：32b
Плотность：2.3 Mb
Ток ожидания-макс：0.015A
Тип ввода/вывода：COMMON
Синхрон/Асинхрон：Asynchronous
Размер слова：36b
Напряжение - Питание (макс.)：3.45V
Напряжение - подача (мин.)：3.15V
Длина：15mm
Ширина：15mm
Толщина：1.4mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

70V658S10BF