2N3467

Central Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-39
Bipolar Transistors - BJT PNP Core Driver
Date Sheet

Lagernummer 2

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：8 Weeks
Монтаж：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-39
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：40V
Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：175MHz
Количество элементов：1
Рабочая температура (макс.)：200°C
Максимальная мощность рассеяния：1W
Минимальная частота работы в герцах：40
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2002
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Active
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Применение транзистора：AMPLIFIER
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1V
Максимальный ток сбора：1A
Частота перехода：175MHz
Частота - Переход：175MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：40
Прямоходящий ток коллектора：450mA
Время выключения максимальное (toff)：90ns
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2

Итого $0.00000

Телефон

2N3467